功率半導體作為關乎國計民生、國家安全的戰略性物資，是經濟領域發展的重要組成部分，長期以來被西方少數國家壟斷。近年來，國家陸續發布《國家信息化發展戰略綱要》《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》，將以集成電路先進工藝和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為代表的功率半導體自主可控作為發展重點之一。
區熔多晶硅作為IGBT、MOSFET、GTO、IGCT及晶閘管等功率半導體器件不可或缺的基礎性原材料，廣泛應用于新能源汽車、新能源發電、物聯網、工業自動化、5G通訊、軌道交通、特高壓輸配等國民經濟重要領域，市場需求逐年增長。陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司（以下簡稱天瑞硅材料）依托全球領先的硅烷西門子工藝，生產區熔多晶硅產品，各項技術指標達到國際一流水準，是國內唯一一家具有區熔多晶硅批量生產與穩定供應能力的企業。2019年以來產品陸續通過半導體行業權威檢測機構與用戶全面嚴格的階段測試，已基本具備高端功率半導體器件應用條件。2021年10月，天瑞硅材料區熔多晶硅成功應用于6英寸區熔單晶硅片制造，并在IGBT所需8英寸區熔單晶硅片制造領域一次性拉晶成功，目前，已進入商業化運行模式。
天瑞硅材料區熔多晶硅的市場應用，實現了國產硅材料在高端半導體領域商業化的重大突破，為我國增強關鍵核心領域自主可控能力奠定了基礎。